Expertise de pointe en traitement thermique rapide
La technologie de chambre à parois froides et la plage de température étendue de notre traitement thermique rapide associée à des suscepteurs optimisés permettent de traiter la plus large gamme de substrats : Plaquettes de silicium / Plaquettes de semi-conducteurs composés / Plaquettes de GaN et de saphir pour LED / Plaquettes de carbure de silicium / Plaquettes de polysilicium pour cellules solaires / Substrats en verre / Métaux / Polymères.
Procédés
RTP et RTCVD.
Nos systèmes RTP / RTCVD sont utilisés pour de nombreuses applications de R&D et de production. Les principales applications de production sont : les composants de puissance, les capteurs, les MEMS, l’optoélectronique, les dispositifs de télécommunication, les composants discrets, les diodes laser, etc.
Procédés
RTP.
Processus de réactions résidentes dans lesquels la chaleur est appliquée pour modifier la structure des matériaux déjà présents dans ou sur la plaquette, sans ajout de matériaux externes.
- Recuit par implantation et contact ohmique
- Diffusion de dopants
- Densification et cristallisation
- Recuit thermique des polymères
Processus d’interaction de surface dans lesquels la chaleur provoque une modification de la surface de la plaquette par les gaz répandus dessus : oxydation, nitruration, sélénisation, carbonisation du silicium.
Procédés
RTCVD.
En CVD, les gaz réagissent avec la surface du substrat chauffé pour former une fine couche. La réaction chimique est activée par la chaleur, les photons et le plasma. Annealsys est spécialisé dans les procédés assistés par la chaleur et les photons.
- RTCVD du graphène (voir note d’application)
- RTCVD du hBN (nitrure de bore hexagonal)
Avantages de notre technologie
Système RTP
à parois froides.
La technologie de chambre à parois froides et la conception du réacteur Annealsys offrent une gamme de fonctionnalités avancées qui améliorent l’efficacité et la fiabilité du procédé. Ces caractéristiques garantissent des résultats précis, constants et performants dans diverses applications.
Reproductibilité élevée du processus et faible effet mémoire
La technologie de chambre à parois froides et la conception du réacteur Annealsys garantissent une reproductibilité élevée du procédé. La chambre de procédé reste à température constante, ce qui réduit l’effet mémoire.
Taux de refroidissement et environnement propre
Ces systèmes atteignent des taux de refroidissement plus élevés et maintiennent un environnement ultra-propre et exempt de contamination. Cela élimine la contamination métallique et croisée, garantissant ainsi l’intégrité du processus.
Mesure précise de la température
La mesure précise de la température par pyromètre est obtenue sans interférence avec les signaux de la lampe. De plus, la régulation basse température du pyromètre peut descendre jusqu’à 150 °C ou moins, assurant une gestion précise de la température.
Contrôle avancé de la température
Le contrôleur de température numérique rapide RTP, associé à un four à lampes croisées multizones (AS-One Plus, AS-Premium et AS-Master), améliore la précision et le contrôle du processus.
Mélange et distribution de gaz
Les réacteurs offrent une capacité de mélange de gaz et une distribution uniforme du gaz sur l’échantillon. Ils offrent également des capacités de vide atmosphérique et standard, avec une turbopompe en option pour des performances améliorées.
Conception et maintenance
Sa conception minimise le volume et la surface pour des performances de vide élevées. Elle facilite également le nettoyage de la chambre et propose une fonction de refroidissement rapide en option, rendant la maintenance simple et efficace.
Systèmes
Automatisés.
Ces caractéristiques confèrent à nos systèmes une grande polyvalence et offrent la plus large gamme d’applications de traitement thermique rapide, notamment la réaction résidente, l’interaction de surface et les procédés de dépôt. Elles permettent également le recuit de substrats thermosensibles.
La chambre à parois froides, la plage de température étendue et les capacités de vide poussé permettent de traiter des substrats résistants aux hautes températures (GaN, SiC, céramiques) ainsi que des substrats thermosensibles comme les polymères.
Guide
D'applications.
Ces machines peuvent effectuer différents types de processus de recuit thermique rapide et de dépôt chimique en phase vapeur thermique rapide.
Recuit d'implant - Recuit de contact ohmique - Diffusion de dopants - Densification et cristallisation - Oxydation - Nitruration - Sélénisation
Recuit thermique des polymères - CVD du graphène - CVD du h-BN (nitrure de bore hexagonal) - Carbonisation du silicium
Procédés RTP / RTCVD
Acronymes
Procédés.
RTP
Rapid Thermal Processing
RTA
Rapid Thermal Annealing
RTO
Rapid Thermal Oxidation
RTN
Rapid Thermal Nitridation
CVD
Chemical Vapor Deposition
RTCVD
Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
LPCVD
Low Pressure Chemica Vapor Deposition
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