La technologie Annealsys de DLI-CVD
Les machines de dépôt chimique en phase vapeur par injection directe de liquide (DLI-CVD) d’Annealsys sont équipées de vaporisateurs DLI permettant l’utilisation d’une large gamme de produits chimiques, notamment des précurseurs à faible pression de vapeur et thermiquement instables.
Ces machines offrent des capacités multi-process au sein d’une même chambre de traitement : CVD, ALD, MOCVD, CVD à pression pulsée et RTP, RTCVD pour le MC-050.
Procédés
DLI CVD et ALD.
Applications : guides d’ondes optiques, revêtements optiques, condensateurs MIMS, circuits intégrés micro-ondes, supraconducteurs, mémoires ferroélectriques, revêtements bioactifs et biocompatibles, barrières thermiques et anticorrosion, micro-batteries et plus encore.
Procédés et
Substrats.
Procédés :
- Oxydes simples et multimétalliques (voir notes d’application)
- Nitrures, métaux et alliages
- Matériaux 2D et 3D
- Semi-conducteurs III-V
Substrats :
- Silicium – Semi-conducteurs compounds – Monocristaux – Plaquettes de carbure de silicium
- Plaquettes de polysilicium pour cellules solaires
- Substrats en verre
- Métaux
- Autres
Matériaux
Déposés.
- Oxydes : BaO, Y2O3, Cr2O3, TiO2, Al2O3, HfO2, Li2O, SiO2, LIPON, Bi2O3, Co3O4, CuCrO2, SiO2, LiNbO3, LaNiO3, SiZrOx, SrTiO3, BaTiO3, MovCrwFexBiyOz
- Matériaux 2D : Graphène, h-BN, TMD (MoS2, WS2, etc.)
- Métaux : Pt, Mo, W, Ru …
- Nitrures : TiN, AlN
Avantages de notre technologie
Notre
Technologie DLI.
Les vaporisateurs DLI peuvent traiter des précurseurs chimiques liquides et solides. Les précurseurs solides doivent être dissous dans un solvant organique. Cette technologie est particulièrement adaptée aux précurseurs ALD et CVD liquides ou solides à faible pression de vapeur et thermiquement instables.
Capacité multi-process exceptionnelle
Les machines DLI-CVD d’Annealsys prennent en charge une grande variété de processus de dépôt CVD, ALD, MOCVD, CVD à pression pulsée, ainsi que RTP et RTCVD in situ, le tout dans la même chambre de traitement.
Parois de chambre thermalisées
Les réacteurs DLI-CVD d’Annealsys sont conçus avec des parois à contrôle thermique qui concentrent le dépôt uniquement sur les substrats, évitant ainsi les dépôts indésirables sur les parois de la chambre, ce qui simplifie le nettoyage et la maintenance.
Contrôle fin du flux précurseur
Les vaporisateurs DLI permettent un contrôle précis du débit de liquide, une commutation rapide entre les phases de vaporisation, un volume mort minimal et une utilisation efficace des précurseurs. Cela permet un contrôle précis de l’interface, un contrôle précis des niveaux de dopage et une consommation réduite de produits chimiques.
Le récipient précurseur reste à température ambiante
Dans les systèmes DLI-CVD, les précurseurs chimiques sont stockés dans des cuves spéciales en acier inoxydable sous pression. Ils restent à température ambiante jusqu’à leur injection dans les vaporisateurs. Cela évite leur décomposition dans les cuves.
Design et maintenance
Ces systèmes sont conçus pour nécessiter peu d’entretien, avec de faibles coûts d’exploitation et une grande fiabilité, ce qui les rend attractifs pour une utilisation à long terme tant en R&D qu’en production.
Technologie de vaporisation
Kemstream.
Les systèmes DLI-CVD d’Annealsys sont équipés de vaporisateurs à injection directe de liquide brevetés par Kemstream. Les avantages de cette technologie sont un procédé de vaporisation flash sans contact pour les composés à faible pression de vapeur et les molécules thermiquement instables.
Nos systèmes
Guide
D'applications.
Ces machines peuvent réaliser différents types de procédés dans la même chambre : DLI-CVD, DLI-ALD, DLI-CVD par pression pulsée. La machine de deux pouces peut également réaliser des procédés ALD et CVD assistés par infrarouge, RTP, RTCVD et MOCVD.
Procédés DLI-CVD / DLI-ALD
Acronymes
Procédés.
DLI
Direct Liquid Injection
CVD
Chemical Vapor Deposition
ALD
Atomic Layer Deposition
MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
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